| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF820SPBF |
| Référence EBEE | E87211042 |
| Boîtier | D2PAK(TO-263) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 1.6A 3Ω@10V,1.5A 2V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3022 | $ 2.3022 |
| 200+ | $0.9202 | $ 184.0400 |
| 500+ | $0.8888 | $ 444.4000 |
| 1000+ | $0.8732 | $ 873.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY IRF820SPBF | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 1.6A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3Ω@10V,1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 3.1W;50W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 37pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 360pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 24nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3022 | $ 2.3022 |
| 200+ | $0.9202 | $ 184.0400 |
| 500+ | $0.8888 | $ 444.4000 |
| 1000+ | $0.8732 | $ 873.2000 |
