| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF644SPBF |
| Référence EBEE | E85741243 |
| Boîtier | D2PAK(TO-263) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 250V 14A 280mΩ@10V,8.4A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2442 | $ 5.2442 |
| 200+ | $2.0937 | $ 418.7400 |
| 500+ | $2.0243 | $ 1012.1500 |
| 1000+ | $1.9897 | $ 1989.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY IRF644SPBF | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 250V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 14A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 280mΩ@10V,8.4A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 3.1W;125W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.3nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 68nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $5.2442 | $ 5.2442 |
| 200+ | $2.0937 | $ 418.7400 |
| 500+ | $2.0243 | $ 1012.1500 |
| 1000+ | $1.9897 | $ 1989.7000 |
