| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF644PBF |
| Référence EBEE | E8469331 |
| Boîtier | TO-220AB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 250V 8.5A 0.28Ω@10V,8.4A 125W 2V@250uA 1 N-channel TO-220AB-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5622 | $ 1.5622 |
| 10+ | $1.2879 | $ 12.8790 |
| 50+ | $1.1360 | $ 56.8000 |
| 100+ | $0.9655 | $ 96.5500 |
| 500+ | $0.8911 | $ 445.5500 |
| 1000+ | $0.8570 | $ 857.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY IRF644PBF | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 280mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 125W | |
| Drain to Source Voltage | 250V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 8.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.3nF | |
| Gate Charge(Qg) | 68nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5622 | $ 1.5622 |
| 10+ | $1.2879 | $ 12.8790 |
| 50+ | $1.1360 | $ 56.8000 |
| 100+ | $0.9655 | $ 96.5500 |
| 500+ | $0.8911 | $ 445.5500 |
| 1000+ | $0.8570 | $ 857.0000 |
