| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF540SPBF |
| Référence EBEE | E82979751 |
| Boîtier | D2PAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 28A 77mΩ@10V,17A 4V@250uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3654 | $ 1.3654 |
| 10+ | $1.1482 | $ 11.4820 |
| 50+ | $1.0275 | $ 51.3750 |
| 100+ | $0.8917 | $ 89.1700 |
| 500+ | $0.8313 | $ 415.6500 |
| 1000+ | $0.8042 | $ 804.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VISHAY IRF540SPBF | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 77mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 120pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 150W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 28A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 560pF | |
| Gate Charge(Qg) | 72nC |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3654 | $ 1.3654 |
| 10+ | $1.1482 | $ 11.4820 |
| 50+ | $1.0275 | $ 51.3750 |
| 100+ | $0.8917 | $ 89.1700 |
| 500+ | $0.8313 | $ 415.6500 |
| 1000+ | $0.8042 | $ 804.2000 |
