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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | VBQA1806 |
| Référence EBEE | E87429160 |
| Boîtier | DFN5x6-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 80V 23.8A 6.25W 1.2V@250uA 1 N-channel QFN8(5X6) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4373 | $ 1.4373 |
| 10+ | $1.2092 | $ 12.0920 |
| 30+ | $1.0838 | $ 32.5140 |
| 100+ | $0.9421 | $ 94.2100 |
| 500+ | $0.8016 | $ 400.8000 |
| 1000+ | $0.7733 | $ 773.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec VBQA1806 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 4.8mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 93pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 60A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.8nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 57nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4373 | $ 1.4373 |
| 10+ | $1.2092 | $ 12.0920 |
| 30+ | $1.0838 | $ 32.5140 |
| 100+ | $0.9421 | $ 94.2100 |
| 500+ | $0.8016 | $ 400.8000 |
| 1000+ | $0.7733 | $ 773.3000 |
