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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | VBA1203M |
| Référence EBEE | E8480924 |
| Boîtier | SO-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 3A 260mΩ@10V,3A 4V@250uA 1 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4017 | $ 0.4017 |
| 10+ | $0.3534 | $ 3.5340 |
| 30+ | $0.3332 | $ 9.9960 |
| 100+ | $0.3083 | $ 30.8300 |
| 500+ | $0.2958 | $ 147.9000 |
| 1000+ | $0.2896 | $ 289.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec VBA1203M | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 260mΩ@10V | |
| Number | 1 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 96W | |
| Drain to Source Voltage | 200V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4017 | $ 0.4017 |
| 10+ | $0.3534 | $ 3.5340 |
| 30+ | $0.3332 | $ 9.9960 |
| 100+ | $0.3083 | $ 30.8300 |
| 500+ | $0.2958 | $ 147.9000 |
| 1000+ | $0.2896 | $ 289.6000 |
