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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TK4A60D-VB |
| Référence EBEE | E822389104 |
| Boîtier | TO-220F |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-220F MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7639 | $ 0.7639 |
| 10+ | $0.6154 | $ 6.1540 |
| 50+ | $0.5398 | $ 26.9900 |
| 100+ | $0.4670 | $ 46.7000 |
| 500+ | $0.4225 | $ 211.2500 |
| 1000+ | $0.3995 | $ 399.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec TK4A60D-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.1Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 83W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 860pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 120pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7639 | $ 0.7639 |
| 10+ | $0.6154 | $ 6.1540 |
| 50+ | $0.5398 | $ 26.9900 |
| 100+ | $0.4670 | $ 46.7000 |
| 500+ | $0.4225 | $ 211.2500 |
| 1000+ | $0.3995 | $ 399.5000 |
