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VBsemi Elec STD95N4F3-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD95N4F3-VB |
| Référence EBEE | E822389114 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-252 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
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| 10+ | $0.4265 | $ 4.2650 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec STD95N4F3-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 5mΩ@10V;6.5mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 250pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 312W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 85A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.38nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 550pF | |
| Gate Charge(Qg) | 80nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 10+ | $0.4265 | $ 4.2650 |
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