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VBsemi Elec STD8N65M5-VB


Fabricant
Référence Fabricant
STD8N65M5-VB
Référence EBEE
E822357267
Boîtier
TO-252
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
650V 8A 560mΩ@10V 4V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$1.0733$ 1.0733
10+$0.8876$ 8.8760
30+$0.7860$ 23.5800
100+$0.6701$ 67.0100
500+$0.6192$ 309.6000
1000+$0.5970$ 597.0000
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TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Fiche TechniqueVBsemi Elec STD8N65M5-VB
RoHS
TypeN-Channel
Configuration-
RDS (on)560mΩ@10V
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)51pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation180W
Drain to Source Voltage650V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)8A
Ciss-Input Capacitance2.3nF
Output Capacitance(Coss)51pF
Gate Charge(Qg)205nC@10V

Guide d’achat

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