Recommonended For You
5% off
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris

VBsemi Elec STD80N6F6-VB


Fabricant
Référence Fabricant
STD80N6F6-VB
Référence EBEE
E87429123
Boîtier
TO-252
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
60V 120A 57W 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>
35 En stock pour livraison rapide
35 disponible pour livraison immédiate
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$1.0403$ 1.0403
10+$0.8686$ 8.6860
30+$0.7747$ 23.2410
100+$0.6691$ 66.9100
500+$0.5708$ 285.4000
1000+$0.5488$ 548.8000
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Fiche TechniqueVBsemi Elec STD80N6F6-VB
RoHS
TypeN-Channel
RDS (on)5mΩ@10V
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)200pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation57W
Drain to Source Voltage60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2.5V
Current - Continuous Drain(Id)97A
Ciss-Input Capacitance4.844nF
Output Capacitance(Coss)441pF
Gate Charge(Qg)82nC@10V

Guide d’achat

Développer