Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
VBsemi Elec STD7NS20-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD7NS20-VB |
| Référence EBEE | E841370534 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 10A 3W 0.245Ω@10V,3A 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0694 | $ 1.0694 |
| 200+ | $0.4278 | $ 85.5600 |
| 500+ | $0.4132 | $ 206.6000 |
| 1000+ | $0.4058 | $ 405.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec STD7NS20-VB | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 10A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.245Ω@10V,3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 3W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 80pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.8nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 51nC@10V |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0694 | $ 1.0694 |
| 200+ | $0.4278 | $ 85.5600 |
| 500+ | $0.4132 | $ 206.6000 |
| 1000+ | $0.4058 | $ 405.8000 |
