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VBsemi Elec STD7N65M2-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD7N65M2-VB |
| Référence EBEE | E822357269 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 5A 950mΩ@10V 4V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8987 | $ 0.8987 |
| 10+ | $0.7240 | $ 7.2400 |
| 30+ | $0.6351 | $ 19.0530 |
| 100+ | $0.5494 | $ 54.9400 |
| 500+ | $0.4970 | $ 248.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec STD7N65M2-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 1Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 51pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
Guide d’achat
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|---|---|---|
| 1+ | $0.8987 | $ 0.8987 |
| 10+ | $0.7240 | $ 7.2400 |
| 30+ | $0.6351 | $ 19.0530 |
| 100+ | $0.5494 | $ 54.9400 |
| 500+ | $0.4970 | $ 248.5000 |
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