| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD70N6F3-VB |
| Référence EBEE | E8725207 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 58A 136W 2V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4332 | $ 0.4332 |
| 10+ | $0.4242 | $ 4.2420 |
| 30+ | $0.4188 | $ 12.5640 |
| 100+ | $0.4116 | $ 41.1600 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec STD70N6F3-VB | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 58A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | - | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 136W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 225pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.65nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 47nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4332 | $ 0.4332 |
| 10+ | $0.4242 | $ 4.2420 |
| 30+ | $0.4188 | $ 12.5640 |
| 100+ | $0.4116 | $ 41.1600 |
