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VBsemi Elec STD60NF06T4-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD60NF06T4-VB |
| Référence EBEE | E8710096 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 58A 136W 2V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.5129 | $ 5.1290 |
| 30+ | $0.4525 | $ 13.5750 |
| 100+ | $0.3922 | $ 39.2200 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec STD60NF06T4-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 10mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 225pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 58A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.65nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 470pF | |
| Gate Charge(Qg) | 47nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 10+ | $0.5129 | $ 5.1290 |
| 30+ | $0.4525 | $ 13.5750 |
| 100+ | $0.3922 | $ 39.2200 |
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