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VBsemi Elec STD40NF10T4-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD40NF10T4-VB |
| Référence EBEE | E819190173 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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| 30+ | $0.6008 | $ 18.0240 |
| 100+ | $0.5229 | $ 52.2900 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec STD40NF10T4-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 18.5mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 80pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 136.4W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.4nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 230pF | |
| Gate Charge(Qg) | 38nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 100+ | $0.5229 | $ 52.2900 |
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