| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD30NE06LT4-VB |
| Référence EBEE | E819632164 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 45A 25mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4812 | $ 0.4812 |
| 10+ | $0.3782 | $ 3.7820 |
| 30+ | $0.3336 | $ 10.0080 |
| 100+ | $0.2783 | $ 27.8300 |
| 500+ | $0.2537 | $ 126.8500 |
| 1000+ | $0.2383 | $ 238.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec STD30NE06LT4-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 30mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 60pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 45A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 140pF | |
| Gate Charge(Qg) | 17nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4812 | $ 0.4812 |
| 10+ | $0.3782 | $ 3.7820 |
| 30+ | $0.3336 | $ 10.0080 |
| 100+ | $0.2783 | $ 27.8300 |
| 500+ | $0.2537 | $ 126.8500 |
| 1000+ | $0.2383 | $ 238.3000 |
