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VBsemi Elec STD3055L-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD3055L-VB |
| Référence EBEE | E819188253 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.2731 | $ 2.7310 |
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| 100+ | $0.2049 | $ 20.4900 |
| 500+ | $0.1884 | $ 94.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec STD3055L-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 7mΩ@10V;9mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 150pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 28W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.7nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 200pF | |
| Gate Charge(Qg) | 33nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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