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VBsemi Elec STD2N80K5-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD2N80K5-VB |
| Référence EBEE | E819711288 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 2A 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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| 10+ | $0.8220 | $ 8.2200 |
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| 100+ | $0.6208 | $ 62.0800 |
| 500+ | $0.5736 | $ 286.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec STD2N80K5-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 2.38Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 315pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 20pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19.6nC@10V |
Guide d’achat
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|---|---|---|
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| 10+ | $0.8220 | $ 8.2200 |
| 30+ | $0.7274 | $ 21.8220 |
| 100+ | $0.6208 | $ 62.0800 |
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