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VBsemi Elec STD13N65M2-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD13N65M2-VB |
| Référence EBEE | E822357263 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 11A 370mΩ@10V 4V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $1.1351 | $ 1.1351 |
| 10+ | $0.9380 | $ 9.3800 |
| 30+ | $0.8302 | $ 24.9060 |
| 100+ | $0.7085 | $ 70.8500 |
| 500+ | $0.6546 | $ 327.3000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec STD13N65M2-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 370mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 12pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 180W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 11A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.3nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 51pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
Guide d’achat
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| 10+ | $0.9380 | $ 9.3800 |
| 30+ | $0.8302 | $ 24.9060 |
| 100+ | $0.7085 | $ 70.8500 |
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