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VBsemi Elec STD100N10F7-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | STD100N10F7-VB |
| Référence EBEE | E87429109 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 85A 176W 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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| 10+ | $0.7510 | $ 7.5100 |
| 30+ | $0.6605 | $ 19.8150 |
| 100+ | $0.5700 | $ 57.0000 |
| 500+ | $0.5161 | $ 258.0500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec STD100N10F7-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 8.5mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 205pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 176W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 85A | |
| Ciss-Input Capacitance | 4nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 565pF | |
| Gate Charge(Qg) | 160nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
| 1+ | $0.9336 | $ 0.9336 |
| 10+ | $0.7510 | $ 7.5100 |
| 30+ | $0.6605 | $ 19.8150 |
| 100+ | $0.5700 | $ 57.0000 |
| 500+ | $0.5161 | $ 258.0500 |
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