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VBsemi Elec P6015CDG-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P6015CDG-VB |
| Référence EBEE | E819632144 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 150V 25.4A 74mΩ@10V 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3817 | $ 0.3817 |
| 10+ | $0.3727 | $ 3.7270 |
| 30+ | $0.3667 | $ 11.0010 |
| 100+ | $0.3606 | $ 36.0600 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec P6015CDG-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 77mΩ@8V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 37pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 5.9W | |
| Drain to Source Voltage | 150V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 25.4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.735nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 160pF | |
| Gate Charge(Qg) | 43nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3817 | $ 0.3817 |
| 10+ | $0.3727 | $ 3.7270 |
| 30+ | $0.3667 | $ 11.0010 |
| 100+ | $0.3606 | $ 36.0600 |
