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VBsemi Elec P0803BDG-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P0803BDG-VB |
| Référence EBEE | E822389796 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-252 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3843 | $ 0.3843 |
| 10+ | $0.3017 | $ 3.0170 |
| 30+ | $0.2668 | $ 8.0040 |
| 100+ | $0.2223 | $ 22.2300 |
| 500+ | $0.2033 | $ 101.6500 |
| 1000+ | $0.1906 | $ 190.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec P0803BDG-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 6mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 270pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.13W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.201nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 525pF | |
| Gate Charge(Qg) | 107nC@10V |
Guide d’achat
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|---|---|---|
| 1+ | $0.3843 | $ 0.3843 |
| 10+ | $0.3017 | $ 3.0170 |
| 30+ | $0.2668 | $ 8.0040 |
| 100+ | $0.2223 | $ 22.2300 |
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