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VBsemi Elec NCE2012-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NCE2012-VB |
| Référence EBEE | E841370180 |
| Boîtier | SO-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 20A 2.5W 0.0049Ω@4.5V,10A 2.1V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6618 | $ 0.6618 |
| 200+ | $0.2651 | $ 53.0200 |
| 500+ | $0.2560 | $ 128.0000 |
| 1000+ | $0.2505 | $ 250.5000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec NCE2012-VB | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 20A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.0049Ω@4.5V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2.5W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.1V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 315pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3.7nF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 27.5nC@10V |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6618 | $ 0.6618 |
| 200+ | $0.2651 | $ 53.0200 |
| 500+ | $0.2560 | $ 128.0000 |
| 1000+ | $0.2505 | $ 250.5000 |
