| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRFS4410PBF-VB |
| Référence EBEE | E87568890 |
| Boîtier | TO-263(D2PAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 10mΩ@10V 3V 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1309 | $ 1.1309 |
| 10+ | $0.9429 | $ 9.4290 |
| 50+ | $0.8401 | $ 42.0050 |
| 100+ | $0.7229 | $ 72.2900 |
| 500+ | $0.6715 | $ 335.7500 |
| 1000+ | $0.6490 | $ 649.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec IRFS4410PBF-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 10mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 265pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 100A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.55nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 665pF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1309 | $ 1.1309 |
| 10+ | $0.9429 | $ 9.4290 |
| 50+ | $0.8401 | $ 42.0050 |
| 100+ | $0.7229 | $ 72.2900 |
| 500+ | $0.6715 | $ 335.7500 |
| 1000+ | $0.6490 | $ 649.0000 |
