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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF7342TRPBF-VB |
| Référence EBEE | E86705272 |
| Boîtier | SO-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 5.3A 2W 1V@250uA 2 P-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7173 | $ 0.7173 |
| 10+ | $0.5814 | $ 5.8140 |
| 30+ | $0.5128 | $ 15.3840 |
| 100+ | $0.4456 | $ 44.5600 |
| 500+ | $0.3861 | $ 193.0500 |
| 1000+ | $0.3647 | $ 364.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec IRF7342TRPBF-VB | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 54mΩ@10V;60mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 180pF | |
| Number | 2 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 4W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.345nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 210pF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7173 | $ 0.7173 |
| 10+ | $0.5814 | $ 5.8140 |
| 30+ | $0.5128 | $ 15.3840 |
| 100+ | $0.4456 | $ 44.5600 |
| 500+ | $0.3861 | $ 193.0500 |
| 1000+ | $0.3647 | $ 364.7000 |
