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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF541-VB |
| Référence EBEE | E819711248 |
| Boîtier | TO-220AB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 25A 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4130 | $ 0.4130 |
| 10+ | $0.3280 | $ 3.2800 |
| 50+ | $0.2916 | $ 14.5800 |
| 100+ | $0.2457 | $ 24.5700 |
| 500+ | $0.2254 | $ 112.7000 |
| 1000+ | $0.2133 | $ 213.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec IRF541-VB | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 72mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 79pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 60W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 640pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 360pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4130 | $ 0.4130 |
| 10+ | $0.3280 | $ 3.2800 |
| 50+ | $0.2916 | $ 14.5800 |
| 100+ | $0.2457 | $ 24.5700 |
| 500+ | $0.2254 | $ 112.7000 |
| 1000+ | $0.2133 | $ 213.3000 |
