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| Fabricant | |
| Référence Fabricant | E10P02-VB |
| Référence EBEE | E8725016 |
| Boîtier | SO-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 13A 1.9W 500mV@250uA 1 Piece P-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3158 | $ 1.5790 |
| 50+ | $0.2499 | $ 12.4950 |
| 150+ | $0.2217 | $ 33.2550 |
| 500+ | $0.1865 | $ 93.2500 |
| 2500+ | $0.1708 | $ 427.0000 |
| 4000+ | $0.1613 | $ 645.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec E10P02-VB | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 15mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 19W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 13A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 50nC@8V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3158 | $ 1.5790 |
| 50+ | $0.2499 | $ 12.4950 |
| 150+ | $0.2217 | $ 33.2550 |
| 500+ | $0.1865 | $ 93.2500 |
| 2500+ | $0.1708 | $ 427.0000 |
| 4000+ | $0.1613 | $ 645.2000 |
