| Fabricant | |
| Référence Fabricant | DTS2016-VB |
| Référence EBEE | E841370188 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 6A 0.028Ω@4.5V,6A 1.3W 1V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1007 | $ 0.1007 |
| 200+ | $0.0403 | $ 8.0600 |
| 500+ | $0.0389 | $ 19.4500 |
| 1000+ | $0.0382 | $ 38.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec DTS2016-VB | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 6A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.028Ω@4.5V,6A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.3W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 55pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 865pF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 8.8nC@5V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1007 | $ 0.1007 |
| 200+ | $0.0403 | $ 8.0600 |
| 500+ | $0.0389 | $ 19.4500 |
| 1000+ | $0.0382 | $ 38.2000 |
