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VBsemi Elec CED3301-VB
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | CED3301-VB |
| Référence EBEE | E822389714 |
| Boîtier | TO-251 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-251 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4668 | $ 0.4668 |
| 10+ | $0.3668 | $ 3.6680 |
| 30+ | $0.3239 | $ 9.7170 |
| 80+ | $0.2700 | $ 21.6000 |
| 480+ | $0.2461 | $ 118.1280 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | VBsemi Elec CED3301-VB | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 18mΩ@10V;22mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 145pF | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 40A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.455nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 180pF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V;[email protected] |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 1+ | $0.4668 | $ 0.4668 |
| 10+ | $0.3668 | $ 3.6680 |
| 30+ | $0.3239 | $ 9.7170 |
| 80+ | $0.2700 | $ 21.6000 |
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