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UTC(Unisonic Tech) 1N65G-AA3-R
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 1N65G-AA3-R |
| Référence EBEE | E8258269 |
| Boîtier | SOT-223 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 650V 1.2A 12.5Ω@10V,600mA 8W 4V@250uA 1 N-Channel SOT-223-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1308 | $ 0.6540 |
| 50+ | $0.1059 | $ 5.2950 |
| 150+ | $0.0934 | $ 14.0100 |
| 500+ | $0.0840 | $ 42.0000 |
| 2500+ | $0.0765 | $ 191.2500 |
| 5000+ | $0.0727 | $ 363.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | UTC(Unisonic Tech) 1N65G-AA3-R | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 12.5Ω@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 8W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1.2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 150pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 25pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1308 | $ 0.6540 |
| 50+ | $0.1059 | $ 5.2950 |
| 150+ | $0.0934 | $ 14.0100 |
| 500+ | $0.0840 | $ 42.0000 |
| 2500+ | $0.0765 | $ 191.2500 |
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