| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AP40N100K |
| Référence EBEE | E85298149 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 100V 40A 50W 33mΩ@4.5V,10A 1.2V@250uA TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1812 | $ 0.9060 |
| 50+ | $0.1462 | $ 7.3100 |
| 150+ | $0.1311 | $ 19.6650 |
| 500+ | $0.1124 | $ 56.2000 |
| 2500+ | $0.1040 | $ 260.0000 |
| 5000+ | $0.0989 | $ 494.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | UNI-SEMIC AP40N100K | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 40A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 33mΩ@4.5V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 50W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 23.5pF@50V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 822pF@50V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 22.7nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1812 | $ 0.9060 |
| 50+ | $0.1462 | $ 7.3100 |
| 150+ | $0.1311 | $ 19.6650 |
| 500+ | $0.1124 | $ 56.2000 |
| 2500+ | $0.1040 | $ 260.0000 |
| 5000+ | $0.0989 | $ 494.5000 |
