| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AO3415A |
| Référence EBEE | E8347479 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 20V 4A 36mΩ@4.5V 350mW 1V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0389 | $ 0.7780 |
| 200+ | $0.0301 | $ 6.0200 |
| 600+ | $0.0252 | $ 15.1200 |
| 3000+ | $0.0206 | $ 61.8000 |
| 9000+ | $0.0181 | $ 162.9000 |
| 21000+ | $0.0167 | $ 350.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) AO3415A | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 36mΩ@4.5V;60mΩ@2.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 160pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 560mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.45nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 205pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0389 | $ 0.7780 |
| 200+ | $0.0301 | $ 6.0200 |
| 600+ | $0.0252 | $ 15.1200 |
| 3000+ | $0.0206 | $ 61.8000 |
| 9000+ | $0.0181 | $ 162.9000 |
| 21000+ | $0.0167 | $ 350.7000 |
