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UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 30N06
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 30N06 |
| Référence EBEE | E8369599 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 30A 23mΩ@10V 55W 1V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 5+ | $0.1125 | $ 0.5625 |
| 50+ | $0.0892 | $ 4.4600 |
| 150+ | $0.0772 | $ 11.5800 |
| 500+ | $0.0674 | $ 33.7000 |
| 2500+ | $0.0616 | $ 154.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 30N06 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 23mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 66.8pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 55W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 30A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.562nF | |
| Gate Charge(Qg) | 25nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 5+ | $0.1125 | $ 0.5625 |
| 50+ | $0.0892 | $ 4.4600 |
| 150+ | $0.0772 | $ 11.5800 |
| 500+ | $0.0674 | $ 33.7000 |
| 2500+ | $0.0616 | $ 154.0000 |
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