| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 15N10 |
| Référence EBEE | E8359106 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 15A 55W 95mΩ@10V 1V@250uA 1 N-Channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1392 | $ 0.6960 |
| 50+ | $0.1096 | $ 5.4800 |
| 150+ | $0.0944 | $ 14.1600 |
| 500+ | $0.0819 | $ 40.9500 |
| 2500+ | $0.0775 | $ 193.7500 |
| 5000+ | $0.0746 | $ 373.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | UMW(Youtai Semiconductor Co., Ltd.) 15N10 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 95mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 21pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 55W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 15A | |
| Ciss-Input Capacitance | 632pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 37pF | |
| Gate Charge(Qg) | 19.2nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1392 | $ 0.6960 |
| 50+ | $0.1096 | $ 5.4800 |
| 150+ | $0.0944 | $ 14.1600 |
| 500+ | $0.0819 | $ 40.9500 |
| 2500+ | $0.0775 | $ 193.7500 |
| 5000+ | $0.0746 | $ 373.0000 |
