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U-NIKC P1006BD
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | P1006BD |
| Référence EBEE | E83034551 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 66A 96W 10mΩ@10V,20A 1.3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.3197 | $ 3.1970 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | U-NIKC P1006BD | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 66A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 10mΩ@10V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 96W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 140pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.92nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 42nC@10V |
Guide d’achat
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