| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TSU5N65M |
| Référence EBEE | E8475511 |
| Boîtier | TO-251 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 3A 58W 3.27Ω@10V,1.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-251 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2438 | $ 1.2190 |
| 50+ | $0.1999 | $ 9.9950 |
| 160+ | $0.1624 | $ 25.9840 |
| 480+ | $0.1388 | $ 66.6240 |
| 2480+ | $0.1283 | $ 318.1840 |
| 4000+ | $0.1221 | $ 488.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Truesemi TSU5N65M | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 3A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.27Ω@10V,1.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 58W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 7pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 560pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 16nC@480V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2438 | $ 1.2190 |
| 50+ | $0.1999 | $ 9.9950 |
| 160+ | $0.1624 | $ 25.9840 |
| 480+ | $0.1388 | $ 66.6240 |
| 2480+ | $0.1283 | $ 318.1840 |
| 4000+ | $0.1221 | $ 488.4000 |
