| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TSP50N20M |
| Référence EBEE | E83647137 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 200V 50A 0.046Ω@10V,50A 250W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0656 | $ 1.0656 |
| 10+ | $0.9787 | $ 9.7870 |
| 50+ | $0.6633 | $ 33.1650 |
| 100+ | $0.6199 | $ 61.9900 |
| 500+ | $0.5944 | $ 297.2000 |
| 1000+ | $0.5799 | $ 579.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Truesemi TSP50N20M | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 50A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.046Ω@10V,50A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 250W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 280pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 4.01nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 244nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0656 | $ 1.0656 |
| 10+ | $0.9787 | $ 9.7870 |
| 50+ | $0.6633 | $ 33.1650 |
| 100+ | $0.6199 | $ 61.9900 |
| 500+ | $0.5944 | $ 297.2000 |
| 1000+ | $0.5799 | $ 579.9000 |
