| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TSP18N20M |
| Référence EBEE | E85199870 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 200V 18A 35W 0.17Ω@10V,9A 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3317 | $ 0.3317 |
| 10+ | $0.2924 | $ 2.9240 |
| 50+ | $0.2532 | $ 12.6600 |
| 100+ | $0.2318 | $ 23.1800 |
| 500+ | $0.2229 | $ 111.4500 |
| 1000+ | $0.2176 | $ 217.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Truesemi TSP18N20M | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 18A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.17Ω@10V,9A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 35W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 55pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 965pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 28nC@160V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3317 | $ 0.3317 |
| 10+ | $0.2924 | $ 2.9240 |
| 50+ | $0.2532 | $ 12.6600 |
| 100+ | $0.2318 | $ 23.1800 |
| 500+ | $0.2229 | $ 111.4500 |
| 1000+ | $0.2176 | $ 217.6000 |
