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Truesemi TSK82N30M
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TSK82N30M |
| Référence EBEE | E82935821 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 300V 82A 610W 46mΩ@10V,40A 3V@250uA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0647 | $ 4.0647 |
| 10+ | $3.9270 | $ 39.2700 |
| 30+ | $2.4954 | $ 74.8620 |
| 100+ | $2.4120 | $ 241.2000 |
| 500+ | $2.3739 | $ 1186.9500 |
| 1000+ | $2.3576 | $ 2357.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Truesemi TSK82N30M | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 300V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 82A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 46mΩ@10V,40A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 610W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 67pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 6.904nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 123nC |
Guide d’achat
Développer
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| 1+ | $4.0647 | $ 4.0647 |
| 10+ | $3.9270 | $ 39.2700 |
| 30+ | $2.4954 | $ 74.8620 |
| 100+ | $2.4120 | $ 241.2000 |
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