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Truesemi TSK82N25M
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TSK82N25M |
| Référence EBEE | E8718686 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 250V 82A 35mΩ@10V,40A 550W 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
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| 1+ | $4.6036 | $ 4.6036 |
| 10+ | $4.1635 | $ 41.6350 |
| 30+ | $2.4528 | $ 73.5840 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | Truesemi TSK82N25M | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 35mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 67pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 550W | |
| Drain to Source Voltage | 250V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 82A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.904nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 783pF | |
| Gate Charge(Qg) | 123nC@10V |
Guide d’achat
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