| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TSF840MD |
| Référence EBEE | E82829046 |
| Boîtier | TO-220F-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 500V 8A 950mΩ@10V,4.5A 45.5W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3176 | $ 1.5880 |
| 50+ | $0.2381 | $ 11.9050 |
| 150+ | $0.2225 | $ 33.3750 |
| 500+ | $0.2032 | $ 101.6000 |
| 2000+ | $0.1946 | $ 389.2000 |
| 5000+ | $0.1894 | $ 947.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Truesemi TSF840MD | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 8A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 950mΩ@10V,4.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 45.5W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 25pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1.05nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 30nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3176 | $ 1.5880 |
| 50+ | $0.2381 | $ 11.9050 |
| 150+ | $0.2225 | $ 33.3750 |
| 500+ | $0.2032 | $ 101.6000 |
| 2000+ | $0.1946 | $ 389.2000 |
| 5000+ | $0.1894 | $ 947.0000 |
