| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TSF4N90M |
| Référence EBEE | E8475513 |
| Boîtier | TO-220FP-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 900V 2.53A 4.2Ω@10V,2A 40W 3V@250uA 1 N-channel TO-220FP-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4729 | $ 0.4729 |
| 10+ | $0.3804 | $ 3.8040 |
| 50+ | $0.3352 | $ 16.7600 |
| 100+ | $0.2862 | $ 28.6200 |
| 500+ | $0.2645 | $ 132.2500 |
| 1000+ | $0.2500 | $ 250.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Truesemi TSF4N90M | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 900V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 2.53A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.2Ω@10V,2A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 40W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 12pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 750pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 22nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4729 | $ 0.4729 |
| 10+ | $0.3804 | $ 3.8040 |
| 50+ | $0.3352 | $ 16.7600 |
| 100+ | $0.2862 | $ 28.6200 |
| 500+ | $0.2645 | $ 132.2500 |
| 1000+ | $0.2500 | $ 250.0000 |
