| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TSF20N65MR |
| Référence EBEE | E8382382 |
| Boîtier | TO-220F-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 20A 0.48Ω@10V,10A 40W 3V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9507 | $ 0.9507 |
| 10+ | $0.7766 | $ 7.7660 |
| 50+ | $0.6771 | $ 33.8550 |
| 100+ | $0.5901 | $ 59.0100 |
| 500+ | $0.5384 | $ 269.2000 |
| 1000+ | $0.5136 | $ 513.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Truesemi TSF20N65MR | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 650V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 20A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.48Ω@10V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 40W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 24pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 5.15nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 57nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9507 | $ 0.9507 |
| 10+ | $0.7766 | $ 7.7660 |
| 50+ | $0.6771 | $ 33.8550 |
| 100+ | $0.5901 | $ 59.0100 |
| 500+ | $0.5384 | $ 269.2000 |
| 1000+ | $0.5136 | $ 513.6000 |
