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Truesemi TSD5N60M
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TSD5N60M |
| Référence EBEE | E8382368 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | 600V 4.5A 2.5Ω@10V,2.25A 48W 5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2317 | $ 1.1585 |
| 50+ | $0.1876 | $ 9.3800 |
| 150+ | $0.1686 | $ 25.2900 |
| 500+ | $0.1450 | $ 72.5000 |
| 2500+ | $0.1178 | $ 294.5000 |
| 5000+ | $0.1114 | $ 557.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Truesemi TSD5N60M | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 4.5A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.5Ω@10V,2.25A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 48W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 7pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 560pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 12nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
| 5+ | $0.2317 | $ 1.1585 |
| 50+ | $0.1876 | $ 9.3800 |
| 150+ | $0.1686 | $ 25.2900 |
| 500+ | $0.1450 | $ 72.5000 |
| 2500+ | $0.1178 | $ 294.5000 |
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