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Truesemi TSA50N20M
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TSA50N20M |
| Référence EBEE | E83647138 |
| Boîtier | TO-3P |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 200V 50A 0.046Ω@10V,50A 300W 4V@250uA 1 N-channel TO-3P MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8903 | $ 0.8903 |
| 10+ | $0.7998 | $ 7.9980 |
| 30+ | $0.7510 | $ 22.5300 |
| 90+ | $0.6949 | $ 62.5410 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Truesemi TSA50N20M | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 50A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.046Ω@10V,50A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 300W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 280pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 4.01nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 244nC@10V |
Guide d’achat
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