| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TSA40N20M |
| Référence EBEE | E83647135 |
| Boîtier | TO-3P |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 200V 40A 260W 65mΩ@10V,20A 2V@250uA 1 N-channel TO-3P MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8156 | $ 0.8156 |
| 10+ | $0.7339 | $ 7.3390 |
| 30+ | $0.6886 | $ 20.6580 |
| 90+ | $0.6361 | $ 57.2490 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Truesemi TSA40N20M | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Configuration | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 40A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 65mΩ@10V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 260W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 50pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2684pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 62nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8156 | $ 0.8156 |
| 10+ | $0.7339 | $ 7.3390 |
| 30+ | $0.6886 | $ 20.6580 |
| 90+ | $0.6361 | $ 57.2490 |
