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Truesemi TSA40N20M


Fabricant
Référence Fabricant
TSA40N20M
Référence EBEE
E83647135
Boîtier
TO-3P
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
200V 40A 260W 65mΩ@10V,20A 2V@250uA 1 N-channel TO-3P MOSFETs ROHS
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueTruesemi TSA40N20M
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Type1 N-channel
Configuration-
Tension de source de égout (Vdss)200V
Courant de drainage continu (Id)40A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)65mΩ@10V,20A
Dissipation de puissance (Pd)260W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)2V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)50pF
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)2684pF@25V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)62nC

Guide d’achat

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