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TOSHIBA TK6A80E,S4X
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TK6A80E,S4X |
| Référence EBEE | E8556305 |
| Boîtier | TO-220-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 6A 1.7Ω@3A,10V 45W 4V@600uA 1 N-Channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4535 | $ 0.4535 |
| 10+ | $0.3989 | $ 3.9890 |
| 30+ | $0.3725 | $ 11.1750 |
| 100+ | $0.3444 | $ 34.4400 |
| 500+ | $0.3288 | $ 164.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | TOSHIBA TK6A80E,S4X | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.7Ω@10V | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 10pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.35nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 110pF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
| 1+ | $0.4535 | $ 0.4535 |
| 10+ | $0.3989 | $ 3.9890 |
| 30+ | $0.3725 | $ 11.1750 |
| 100+ | $0.3444 | $ 34.4400 |
| 500+ | $0.3288 | $ 164.4000 |
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