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TOSHIBA TK2P90E,RQ(S
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TK2P90E,RQ(S |
| Référence EBEE | E82960440 |
| Boîtier | DPAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 900V 72W 4.7Ω@10V,1.0A 1 N-Channel DPAK MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3376 | $ 0.3376 |
| 10+ | $0.2882 | $ 2.8820 |
| 30+ | $0.2675 | $ 8.0250 |
| 100+ | $0.2420 | $ 24.2000 |
| 500+ | $0.2261 | $ 113.0500 |
| 1000+ | $0.2182 | $ 218.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | TOSHIBA TK2P90E,RQ(S | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 5.9Ω@10V | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 80W | |
| Drain to Source Voltage | 900V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 500pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 12nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 10+ | $0.2882 | $ 2.8820 |
| 30+ | $0.2675 | $ 8.0250 |
| 100+ | $0.2420 | $ 24.2000 |
| 500+ | $0.2261 | $ 113.0500 |
| 1000+ | $0.2182 | $ 218.2000 |
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