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TOSHIBA SSM6L09FU(TE85L,F)
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SSM6L09FU(TE85L,F) |
| Référence EBEE | E87421332 |
| Boîtier | SOT-363 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 200mA 2.7Ω@10V,100mA 300mW [email protected] 1 N-Channel + 1 P-Channel SOT-363 MOSFETs ROHS |
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2905 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1373 | $ 0.6865 |
| 50+ | $0.1188 | $ 5.9400 |
| 150+ | $0.1108 | $ 16.6200 |
| 500+ | $0.1009 | $ 50.4500 |
| 3000+ | $0.0965 | $ 289.5000 |
| 6000+ | $0.0938 | $ 562.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | TOSHIBA SSM6L09FU(TE85L,F) | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 5pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 400mA;200mA |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
| 5+ | $0.1373 | $ 0.6865 |
| 50+ | $0.1188 | $ 5.9400 |
| 150+ | $0.1108 | $ 16.6200 |
| 500+ | $0.1009 | $ 50.4500 |
| 3000+ | $0.0965 | $ 289.5000 |
| 6000+ | $0.0938 | $ 562.8000 |
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