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TOSHIBA SSM6J214FE(TE85L,F
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SSM6J214FE(TE85L,F |
| Référence EBEE | E8516172 |
| Boîtier | SOT-563(SOT-666) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 3.6A 50mΩ@3A,10V 500mW 1.2V@1mA 1 Piece P-Channel SOT-563(SOT-666) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2530 | $ 1.2650 |
| 50+ | $0.2040 | $ 10.2000 |
| 150+ | $0.1830 | $ 27.4500 |
| 500+ | $0.1568 | $ 78.4000 |
| 2500+ | $0.1451 | $ 362.7500 |
| 4000+ | $0.1381 | $ 552.4000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | TOSHIBA SSM6J214FE(TE85L,F | |
| RoHS | ||
| Type | P-Channel | |
| RDS (on) | 50mΩ@10V | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 65pF | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3.6A | |
| Ciss-Input Capacitance | 560pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 150+ | $0.1830 | $ 27.4500 |
| 500+ | $0.1568 | $ 78.4000 |
| 2500+ | $0.1451 | $ 362.7500 |
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